NTE Electronics, Inc. NTE102A
Transistor, Bipolar,Ge,PNP,Amplifier, Power,IC 1A,PD 650mW,TO-1,VCBO 32V,hFE 295Wir freuen uns, unseren Kunden NTE Electronics, Inc. Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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NTE Electronics, Inc. NTE102A Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Amplifier Type | Medium Power |
| Collector Current | 1 A |
| Collector to Base Voltage | 32 V |
| Collector to Emitter Voltage | 10 V |
| Configuration | Common Base |
| Diameter | 6.09 mm |
| Dimensions | 6.09 Dia. x 10.4 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 10 V |
| Height | 0.409" (10.4mm) |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +90 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 2.3 MHz |
| Package Type | TO-1 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 650 mW |
| Primary Type | Ge |
| Product Header | Germanium Complementary Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +90 °C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Amplifier, Power |
| UPC Code | 768249005414 |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.17 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.17 V |