NTE Electronics, Inc. NTE102A
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NTE Electronics, Inc. NTE102A Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Amplifier Type | Medium Power |
| Collector Current | 1 A |
| Collector to Base Voltage | 32 V |
| Collector to Emitter Voltage | 10 V |
| Configuration | Common Base |
| Diameter | 6.09 mm |
| Dimensions | 6.09 Dia. x 10.4 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 10 V |
| Height | 0.409" (10.4mm) |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +90 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 2.3 MHz |
| Package Type | TO-1 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 650 mW |
| Primary Type | Ge |
| Product Header | Germanium Complementary Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +90 °C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Amplifier, Power |
| UPC Code | 768249005414 |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.17 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.17 V |