NTE Electronics, Inc. NTE2383
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.3Ohm,ID 10.5A,TO-220,PD 75W,VGS +/-20VWir freuen uns, unseren Kunden NTE Electronics, Inc. Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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NTE Electronics, Inc. NTE2383 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 10.5 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.3 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Forward Transconductance | 2 S |
| Forward Voltage, Diode | 6.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 835 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 75 W |
| Product Header | Enhancement Mode Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.5 °C⁄W |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 58 nC |
| Turn Off Delay Time | Minimum of 140 ns |
| Turn On Delay Time | 60 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 58 nC @ 10 V |
| UPC Code | 768249113614 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |