NTE Electronics, Inc. NTE2383

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.3Ohm,ID 10.5A,TO-220,PD 75W,VGS +/-20V

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NTE Electronics, Inc. NTE2383 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Drain Current	10.5 A
Drain to Source On Resistance	0.3 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	2 S
Forward Voltage, Diode	6.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	835 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	75 W
Product Header	Enhancement Mode Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.5 °C⁄W
Series	MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	58 nC
Turn Off Delay Time	Minimum of 140 ns
Turn On Delay Time	60 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 58 nC @ 10 V
UPC Code	768249113614
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V