NTE Electronics, Inc. NTE2383

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.3Ohm,ID 10.5A,TO-220,PD 75W,VGS +/-20V

Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos NTE Electronics, Inc. con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].

Nuestra gama de productos incluye una amplia variedad de opciones NTE Electronics, Inc. y otros modelos. Si no encuentra el modelo que busca, puede enviarnos un correo electrónico o completar el formulario de solicitud de cotización. Nuestra empresa ofrece solo productos originales o nuevos. Si tiene solicitudes especiales al respecto, no dude en contactarnos.

En esta página, encontrará información detallada sobre el producto NTE Electronics, Inc. NTE2383. La marca NTE Electronics, Inc. es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos NTE Electronics, Inc., que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.

Por favor, contáctenos para realizar un pedido del producto NTE Electronics, Inc. NTE2383 o para obtener más detalles. Estaremos encantados de ayudarle a verificar el producto o explorar otros modelos.

No dude en contactarnos. Estamos aquí para entregar la pieza correcta de la manera más confiable. La satisfacción del cliente y la calidad del producto son nuestras principales prioridades. Estamos aquí para brindarle el mejor servicio.

NTE Electronics, Inc. NTE2383 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Drain Current	10.5 A
Drain to Source On Resistance	0.3 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	2 S
Forward Voltage, Diode	6.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	835 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	75 W
Product Header	Enhancement Mode Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.5 °C⁄W
Series	MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	58 nC
Turn Off Delay Time	Minimum of 140 ns
Turn On Delay Time	60 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 58 nC @ 10 V
UPC Code	768249113614
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V