ON Semiconductor 2N5886G
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ON Semiconductor 2N5886G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 25 A |
| Collector to Base Voltage | 80 V |
| Collector to Emitter Voltage | 80 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 39.37 x 8.51 x 26.67 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 1.05" (26.67mm) |
| Length | 1.55 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Frequency | 4 MHz |
| Package Type | TO-204 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 200 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Complementary Silicon High Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.875 °C/W |
| Series | 2N Bipolar Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | High Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 80 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 4 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2.5 V |
| Width | 0 in |