ON Semiconductor 2N5886G
Transistor, Bipolar,Si,NPN,High Power,VCEO 80VDC,IC 25A,PD 200W,TO-204AA (TO-3)Мы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor 2N5886G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта ON Semiconductor 2N5886G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
ON Semiconductor 2N5886G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 25 A |
| Collector to Base Voltage | 80 V |
| Collector to Emitter Voltage | 80 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 39.37 x 8.51 x 26.67 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 1.05" (26.67mm) |
| Length | 1.55 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Frequency | 4 MHz |
| Package Type | TO-204 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 200 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Complementary Silicon High Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.875 °C/W |
| Series | 2N Bipolar Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | High Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 80 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 4 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2.5 V |
| Width | 0 in |