ON Semiconductor MJE5852G
ON Semi MJE5852G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin TO-220ABWir freuen uns, unseren Kunden ON Semiconductor Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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ON Semiconductor MJE5852G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 8 A |
| Collector to Emitter Voltage | 450 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 10.28 x 4.82 x 15.75 mm |
| Emitter to Base Voltage | 6 V |
| Height | 0.62" (15.75mm) |
| Length | 0.404 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 80 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SWITCHMODE™ Series PNP Silicon Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.25 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 400 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 5 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 1.5 V |
| Width | 0 in |