ON Semiconductor MJE5852G

ON Semi MJE5852G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB

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ON Semiconductor MJE5852G Specifications

Property	Value
Collector Current	8 A
Collector to Emitter Voltage	450 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	6 V
Height	0.62" (15.75mm)
Length	0.404 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarity	PNP
Power Dissipation	80 W
Primary Type	Si
Product Header	SWITCHMODE™ Series PNP Silicon Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.25 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	400 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	5 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in