ON Semiconductor MJE5852G

ON Semi MJE5852G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor MJE5852G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта ON Semiconductor MJE5852G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

ON Semiconductor MJE5852G Specifications

Property	Value
Collector Current	8 A
Collector to Emitter Voltage	450 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	6 V
Height	0.62" (15.75mm)
Length	0.404 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarity	PNP
Power Dissipation	80 W
Primary Type	Si
Product Header	SWITCHMODE™ Series PNP Silicon Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.25 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	400 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	5 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in