SEMIKRON SEMIX503GD126HDC
IGBT, 1200 V, 490 A @ 25 DegC, 480 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degCWir freuen uns, unseren Kunden SEMIKRON Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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SEMIKRON SEMIX503GD126HDC Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 466 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Configuration | Array |
| Continuous Collector Current | 466 A |
| Dimensions | 149.5 x 163 x 17 mm |
| Energy Rating | 72 mJ |
| Gate Capacitance | 21.6 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Length | 5.885 in |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 29 |
| Package Type | SEMIX 33c |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Trench N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.08 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | Trench |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1.7 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.7 V @ 25°C (Typ.) |