SEMIKRON SEMIX503GD126HDC
IGBT, 1200 V, 490 A @ 25 DegC, 480 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degCMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle SEMIKRON ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir SEMIKRON seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada SEMIKRON SEMIX503GD126HDC ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. SEMIKRON markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı SEMIKRON ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
SEMIKRON SEMIX503GD126HDC ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
SEMIKRON SEMIX503GD126HDC Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Collector Current | 466 A |
Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
Configuration | Array |
Continuous Collector Current | 466 A |
Dimensions | 149.5 x 163 x 17 mm |
Energy Rating | 72 mJ |
Gate Capacitance | 21.6 nF |
Gate to Emitter Voltage | 20 V |
Length | 5.885 in |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 29 |
Package Type | SEMIX 33c |
Polarity | N-Channel |
Primary Type | Si |
Product Header | Trench N-Channel IGBT Module |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.08 K/W |
Series | IGBT Series |
Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
Transistor Type | IGBT |
Type | Trench |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1.7 V |
Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.7 V @ 25°C (Typ.) |