SEMIKRON SEMIX503GD126HDC
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SEMIKRON SEMIX503GD126HDC Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 466 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Configuration | Array |
| Continuous Collector Current | 466 A |
| Dimensions | 149.5 x 163 x 17 mm |
| Energy Rating | 72 mJ |
| Gate Capacitance | 21.6 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Length | 5.885 in |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 29 |
| Package Type | SEMIX 33c |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Trench N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.08 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | Trench |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1.7 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.7 V @ 25°C (Typ.) |