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Siliconix / Vishay SUD50N03-06P-E3
Siliconix / Vishay SUD50N03-06P-E3
N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFETWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Siliconix / Vishay-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
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Siliconix / Vishay SUD50N03-06P-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
Drain Current | 84 A |
Drain to Source On Resistance | 0.0105 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance | 20 S |
Forward Voltage, Diode | 1.5 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.094" (2.38mm) |
Input Capacitance | 3100 pF @ 25 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 18 °C/W |
Length | 0.264 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
Package Type | TO-252 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 88 W |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.7 °C/W |
Series | SUD Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 30 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |