Siliconix / Vishay SUD50N03-06P-E3

N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

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Siliconix / Vishay SUD50N03-06P-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Drain Current	84 A
Drain to Source On Resistance	0.0105 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	15 ns
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.38mm)
Input Capacitance	3100 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	18 °C/W
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-252
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	88 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.7 °C/W
Series	SUD Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	30 nC
Turn Off Delay Time	30 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in