NTE Electronics, Inc. NTE2389
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NTE Electronics, Inc. NTE2389 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 35 A |
| Drain to Source On Resistance | 45 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 13.5 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.4 V |
| Gate to Source Voltage | ±30 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 1650 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 60 °C⁄W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.2 °C⁄W (Max.) |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 125 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| UPC Code | 768249389514 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |