NTE Electronics, Inc. NTE2389

POWER MOSFET N-CHANNEL 60V ID=38A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE

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NTE Electronics, Inc. NTE2389 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Drain Current	35 A
Drain to Source On Resistance	45 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	13.5 S
Forward Voltage, Diode	1.4 V
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	1650 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	60 °C⁄W
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	125 W
Product Header	N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.2 °C⁄W (Max.)
Series	MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	125 ns
Turn On Delay Time	25 ns
UPC Code	768249389514
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V