ON Semiconductor NTE4151PT1G
MOSFET, P-Ch, VDSS -20V, RDS(ON) 0.26Ohm, ID -760mA, SC-89, PD 313mW, VGS +/-6VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor NTE4151PT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Drain Current | -760 mA |
| Drain to Source On Resistance | 0.26 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 0.4 |
| Forward Voltage, Diode | -0.72 V |
| Gate to Source Voltage | ±6 V |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SC-89 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 313 mW |
| Product Header | P-Channel Small Signal MOSFET |
| Series | NT MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 2.1 nC |
| Turn Off Delay Time | 29 ns |
| Turn On Delay Time | 8 ns |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |