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ON Semiconductor NTE4151PT1G
ON Semiconductor NTE4151PT1G
MOSFET, P-Ch, VDSS -20V, RDS(ON) 0.26Ohm, ID -760mA, SC-89, PD 313mW, VGS +/-6VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos ON Semiconductor com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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ON Semiconductor NTE4151PT1G Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Drain Current | -760 mA |
Drain to Source On Resistance | 0.26 Ohms |
Drain to Source Voltage | -20 V |
Forward Transconductance | 0.4 |
Forward Voltage, Diode | -0.72 V |
Gate to Source Voltage | ±6 V |
Length | 0.066 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | SC-89 |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 313 mW |
Product Header | P-Channel Small Signal MOSFET |
Series | NT MOSFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 2.1 nC |
Turn Off Delay Time | 29 ns |
Turn On Delay Time | 8 ns |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |