Infineon IRF540ZPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 21 Milliohms,ID 36A,TO-220AB,PD 92W,gFS 36V

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Infineon IRF540ZPBF Specifications

Property	Value
Application	For automotive applications
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Drain Current	36 A
Drain to Source On Resistance	26.5 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Fall Time	39 ns
Forward Transconductance	36 V
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	1770 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C⁄W
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	92 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.64 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	42 nC
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	42 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in