Infineon IRF540ZPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 21 Milliohms,ID 36A,TO-220AB,PD 92W,gFS 36V

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF540ZPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF540ZPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF540ZPBF Specifications

Property	Value
Application	For automotive applications
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Drain Current	36 A
Drain to Source On Resistance	26.5 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Fall Time	39 ns
Forward Transconductance	36 V
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	1770 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C⁄W
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	92 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.64 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	42 nC
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	42 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in