Infineon IRFS3107PBF

IRFS3107PBF N-channel MOSFET Transistor, 230 A, 75 V, 3-Pin D2PAK

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Infineon IRFS3107PBF Specifications

Property	Value
Application	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS; Uninterru
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	230 A
Drain to Source On Resistance	2.5 mOhms
Drain to Source Voltage	75 V
Fall Time	100 ns
Forward Transconductance	230 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	9370 pF @ 50 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C/W
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	–55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	370 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.4 °C/W
Rise Time	110
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	99 ns
Turn On Delay Time	19 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	160 nC @ 10 V
Width	0 in