Infineon IRFS3107PBF
IRFS3107PBF N-channel MOSFET Transistor, 230 A, 75 V, 3-Pin D2PAKМы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFS3107PBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRFS3107PBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRFS3107PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS; Uninterru |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
| Drain Current | 230 A |
| Drain to Source On Resistance | 2.5 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 75 V |
| Fall Time | 100 ns |
| Forward Transconductance | 230 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.19" (4.83mm) |
| Input Capacitance | 9370 pF @ 50 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C/W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | –55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | D2PAK |
| Power Dissipation | 370 W |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.4 °C/W |
| Rise Time | 110 |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 99 ns |
| Turn On Delay Time | 19 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Width | 0 in |