Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.00325Ohm,ID 110A,TO-263,PD 375W,VGS +/-20VNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Siliconix / Vishay avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V batt |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.414 x 9.652 x 4.826 mm |
| Drain Current | 110 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0082 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Fall Time | 14 nS |
| Forward Transconductance | 30 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C⁄W |
| Length | 0.41 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-263 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 375 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.4 °C/W |
| Series | SUM Series |
| Total Gate Charge | 200 nC |
| Turn Off Delay Time | 75 ns |
| Turn On Delay Time | 45 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |