Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.00325Ohm,ID 110A,TO-263,PD 375W,VGS +/-20VМы рады предложить нашим клиентам продукцию Siliconix / Vishay с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Siliconix / Vishay и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3. Бренд Siliconix / Vishay известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Siliconix / Vishay, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V batt |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.414 x 9.652 x 4.826 mm |
| Drain Current | 110 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0082 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Fall Time | 14 nS |
| Forward Transconductance | 30 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C⁄W |
| Length | 0.41 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-263 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 375 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.4 °C/W |
| Series | SUM Series |
| Total Gate Charge | 200 nC |
| Turn Off Delay Time | 75 ns |
| Turn On Delay Time | 45 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |