Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.00325Ohm,ID 110A,TO-263,PD 375W,VGS +/-20VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SUM110N06-3M9H-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V batt |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.414 x 9.652 x 4.826 mm |
| Drain Current | 110 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0082 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Fall Time | 14 nS |
| Forward Transconductance | 30 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C⁄W |
| Length | 0.41 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-263 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 375 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.4 °C/W |
| Series | SUM Series |
| Total Gate Charge | 200 nC |
| Turn Off Delay Time | 75 ns |
| Turn On Delay Time | 45 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |