ON Semiconductor MJD45H11G

ON Semi MJD45H11G PNP Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

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ON Semiconductor MJD45H11G Specifications

Property	Value
Collector Current	16 A
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.094" (2.38mm)
Length	0.264 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	90 MHz
Package Type	DPAK
Polarity	PNP
Power Dissipation	20 W
Primary Type	Si
Product Header	PNP Silicon Complementary Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	6.25 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in