ON Semiconductor MJD45H11G

ON Semi MJD45H11G PNP Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor MJD45H11G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта ON Semiconductor MJD45H11G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

ON Semiconductor MJD45H11G Specifications

Property	Value
Collector Current	16 A
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.094" (2.38mm)
Length	0.264 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	90 MHz
Package Type	DPAK
Polarity	PNP
Power Dissipation	20 W
Primary Type	Si
Product Header	PNP Silicon Complementary Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	6.25 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in