NTE Electronics, Inc. NTE2399
MOSFET,N-Ch,VDSS 1000V,RDS(ON) 0.5Ohm,ID 3.1A,TO-220,PD 125W,VGS +/-20V,Qg 80nCМы рады предложить нашим клиентам продукцию NTE Electronics, Inc. с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции NTE Electronics, Inc. и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте NTE Electronics, Inc. NTE2399. Бренд NTE Electronics, Inc. известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели NTE Electronics, Inc., что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта NTE Electronics, Inc. NTE2399 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
NTE Electronics, Inc. NTE2399 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 3.1 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.5 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 1000 V |
| Fall Time | 29 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.1 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 980 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C⁄W |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 80 nC |
| Turn Off Delay Time | 89 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 80 nC @ 10 V |
| UPC Code | 768249411215 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 1000 V |