NTE Electronics, Inc. NTE2399
MOSFET,N-Ch,VDSS 1000V,RDS(ON) 0.5Ohm,ID 3.1A,TO-220,PD 125W,VGS +/-20V,Qg 80nCMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle NTE Electronics, Inc. ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir NTE Electronics, Inc. seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada NTE Electronics, Inc. NTE2399 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. NTE Electronics, Inc. markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı NTE Electronics, Inc. ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
NTE Electronics, Inc. NTE2399 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
NTE Electronics, Inc. NTE2399 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 3.1 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.5 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 1000 V |
| Fall Time | 29 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.1 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 980 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C⁄W |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 80 nC |
| Turn Off Delay Time | 89 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 80 nC @ 10 V |
| UPC Code | 768249411215 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 1000 V |