Infineon IRFR120N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48Wنحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRFR120N على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRFR120N أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Infineon IRFR120N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Fast switching speed and ruggedized device design that for p |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 1.78 mm |
| Drain Current | 9.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.21 Ω |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Fall Time | 23 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.07" (1.78mm) |
| Input Capacitance | 330 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 110 °C⁄W |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | DPAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.1 °C⁄W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 25 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 ns |
| Turn On Delay Time | 4.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0.245" (6.22mm) |