Infineon IRFR120N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRFR120N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Fast switching speed and ruggedized device design that for p |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 1.78 mm |
| Drain Current | 9.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.21 Ω |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Fall Time | 23 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.07" (1.78mm) |
| Input Capacitance | 330 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 110 °C⁄W |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | DPAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.1 °C⁄W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 25 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 ns |
| Turn On Delay Time | 4.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0.245" (6.22mm) |