Infineon IRFR120N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48WWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRFR120N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Fast switching speed and ruggedized device design that for p |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 1.78 mm |
| Drain Current | 9.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.21 Ω |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Fall Time | 23 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.07" (1.78mm) |
| Input Capacitance | 330 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 110 °C⁄W |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | DPAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.1 °C⁄W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 25 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 ns |
| Turn On Delay Time | 4.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0.245" (6.22mm) |