Infineon IRFR120N
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,D-Pak (TO-252AA),PD 48WМы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFR120N. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRFR120N или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRFR120N Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Fast switching speed and ruggedized device design that for p |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 1.78 mm |
| Drain Current | 9.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.21 Ω |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Fall Time | 23 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 2.7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.07" (1.78mm) |
| Input Capacitance | 330 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 110 °C⁄W |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C |
| Package Type | DPAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.1 °C⁄W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 25 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 ns |
| Turn On Delay Time | 4.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0.245" (6.22mm) |