ON Semiconductor MCR08BT1G

Diode,SCR,Vr 200V,If 0.8A,Pkg SOT-223 (TO-261),Vf 1.7V,I�T 0.4A�s,Tj +110degc

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor MCR08BT1G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor MCR08BT1G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor MCR08BT1G Specifications

Property	Value
Blocking Voltage	600 V
Current Squared Time Rating	0.4 A sq. s
Dimensions	6.70 x 3.70 x 1.65 mm
Forward Current	0.8 A
Forward Voltage	1.7 V
Gate Trigger Current	200 μA
Gate Trigger Voltage	0.8 V
Height	0.065" (1.65mm)
Holding Current	5 mA
Length	0.263 in
Maximum Junction Temperature	+110 °C
Maximum On State Current	0.8 A
Maximum On State Voltage	1.7 V
Maximum Operating Temperature	+110 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Pins	4
Off State Voltage	600 V
Operating Temperature	-40 to +110 °C
Package Type	SOT-223
Primary Type	Sensitive
Product Header	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
Repetitive Off State Peak Current	200 μA
Repetitive Peak Voltage	600 V
Surge Current	8 A
Temperature Operating Range	-40 to +110 °C
Thyristor Type	SCR
Width	0 in