ON Semiconductor MCR08BT1G
Diode,SCR,Vr 200V,If 0.8A,Pkg SOT-223 (TO-261),Vf 1.7V,I�T 0.4A�s,Tj +110degcNos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor MCR08BT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Blocking Voltage | 600 V |
| Current Squared Time Rating | 0.4 A sq. s |
| Dimensions | 6.70 x 3.70 x 1.65 mm |
| Forward Current | 0.8 A |
| Forward Voltage | 1.7 V |
| Gate Trigger Current | 200 μA |
| Gate Trigger Voltage | 0.8 V |
| Height | 0.065" (1.65mm) |
| Holding Current | 5 mA |
| Length | 0.263 in |
| Maximum Junction Temperature | +110 °C |
| Maximum On State Current | 0.8 A |
| Maximum On State Voltage | 1.7 V |
| Maximum Operating Temperature | +110 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 4 |
| Off State Voltage | 600 V |
| Operating Temperature | -40 to +110 °C |
| Package Type | SOT-223 |
| Primary Type | Sensitive |
| Product Header | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier |
| Repetitive Off State Peak Current | 200 μA |
| Repetitive Peak Voltage | 600 V |
| Surge Current | 8 A |
| Temperature Operating Range | -40 to +110 °C |
| Thyristor Type | SCR |
| Width | 0 in |