ON Semiconductor MCR08BT1G

Diode,SCR,Vr 200V,If 0.8A,Pkg SOT-223 (TO-261),Vf 1.7V,I�T 0.4A�s,Tj +110degc

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ON Semiconductor MCR08BT1G Specifications

Property	Value
Blocking Voltage	600 V
Current Squared Time Rating	0.4 A sq. s
Dimensions	6.70 x 3.70 x 1.65 mm
Forward Current	0.8 A
Forward Voltage	1.7 V
Gate Trigger Current	200 μA
Gate Trigger Voltage	0.8 V
Height	0.065" (1.65mm)
Holding Current	5 mA
Length	0.263 in
Maximum Junction Temperature	+110 °C
Maximum On State Current	0.8 A
Maximum On State Voltage	1.7 V
Maximum Operating Temperature	+110 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Pins	4
Off State Voltage	600 V
Operating Temperature	-40 to +110 °C
Package Type	SOT-223
Primary Type	Sensitive
Product Header	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
Repetitive Off State Peak Current	200 μA
Repetitive Peak Voltage	600 V
Surge Current	8 A
Temperature Operating Range	-40 to +110 °C
Thyristor Type	SCR
Width	0 in