Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3 N/P-channel MOSFET Transistor, 3.7 A, 4 A, 30 V, 8-Pin 1206

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Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1.1 mm
Drain Current	-3.7 to 4 A
Drain to Source On Resistance	0.065 to 0.14 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 to 30 V
Forward Transconductance	3.5, 5 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.8 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.043" (1.1mm)
Input Capacitance	170 pF@ -15 V, 220 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	70 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	1206-8 ChipFET
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	3.1 ; 3.12 W
Series	SI55 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	4.5/4.5 nC
Turn Off Delay Time	10 ns
Turn On Delay Time	4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	4.5 nC @ 15 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0 in