Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3
SI5504BDC-T1-E3 N/P-channel MOSFET Transistor, 3.7 A, 4 A, 30 V, 8-Pin 1206Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Siliconix / Vishay ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Siliconix / Vishay seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Siliconix / Vishay markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Siliconix / Vishay ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1.1 mm |
| Drain Current | -3.7 to 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.065 to 0.14 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 3.5, 5 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.8/-0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.043" (1.1mm) |
| Input Capacitance | 170 pF@ -15 V, 220 pF @ 15 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 70 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | 1206-8 ChipFET |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 3.1 ; 3.12 W |
| Series | SI55 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 4.5/4.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 10 ns |
| Turn On Delay Time | 4 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30/-30 V |
| Width | 0 in |