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Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3
Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3
SI5504BDC-T1-E3 N/P-channel MOSFET Transistor, 3.7 A, 4 A, 30 V, 8-Pin 1206Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI5504BDC-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N ; P |
Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1.1 mm |
Drain Current | -3.7 to 4 A |
Drain to Source On Resistance | 0.065 to 0.14 Ohms |
Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
Forward Transconductance | 3.5, 5 S |
Forward Voltage, Diode | 0.8/-0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.043" (1.1mm) |
Input Capacitance | 170 pF@ -15 V, 220 pF @ 15 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 70 °C/W |
Length | 0.12 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Package Type | 1206-8 ChipFET |
Polarization | N-Channel and P-Channel |
Power Dissipation | 3.1 ; 3.12 W |
Series | SI55 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 4.5/4.5 nC |
Turn Off Delay Time | 10 ns |
Turn On Delay Time | 4 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 15 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30/-30 V |
Width | 0 in |