Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 0.275Ohm,ID -1.25A,TO-236 (SOT-23),PD 1.25WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Drain Current | -1.25 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.275 Ohm |
| Forward Transconductance | 1.9 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.82 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-236 (SOT-23) |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Product Header | P-Channel MOSFET |
| Series | SI23 Series |
| Total Gate Charge | 5.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 15.5 ns |
| Turn On Delay Time | 10.5 ns |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |