Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 0.275Ohm,ID -1.25A,TO-236 (SOT-23),PD 1.25W

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Siliconix / Vishay с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Siliconix / Vishay и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3. Бренд Siliconix / Vishay известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Siliconix / Vishay, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 Specifications

Property	Value
Drain Current	-1.25 A
Drain to Source On Resistance	0.275 Ohm
Forward Transconductance	1.9 S
Forward Voltage, Diode	-0.82 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-236 (SOT-23)
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Product Header	P-Channel MOSFET
Series	SI23 Series
Total Gate Charge	5.4 nC
Turn Off Delay Time	15.5 ns
Turn On Delay Time	10.5 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-60 V