- Ana Sayfa
- Markalar
- Siliconix / Vishay
- SI2309DS-T1-E3
Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3
Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 0.275Ohm,ID -1.25A,TO-236 (SOT-23),PD 1.25WMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Siliconix / Vishay ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Siliconix / Vishay seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Siliconix / Vishay markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Siliconix / Vishay ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Siliconix / Vishay SI2309DS-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Drain Current | -1.25 A |
Drain to Source On Resistance | 0.275 Ohm |
Forward Transconductance | 1.9 S |
Forward Voltage, Diode | -0.82 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-236 (SOT-23) |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 1.25 W |
Product Header | P-Channel MOSFET |
Series | SI23 Series |
Total Gate Charge | 5.4 nC |
Turn Off Delay Time | 15.5 ns |
Turn On Delay Time | 10.5 ns |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |